Шестого ноября в Москве сотрудники Физического института имени П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) рассказали о создании бездефектной границы между ферромагнитным и антиферромагнитным слоями. Такой контакт удалось сформировать российским физикам. По их словам, это приближает создание быстрых и энергоэффективных вычислительных устройств. Об этом пишет ТАСС.
Слоистые магнитоупорядоченные материалы считаются перспективными для спинтроники. В таких приборах используют заряд электрона и его спин — квантовое свойство. Для работы нужны особые условия, которые один тип материала обеспечить не может. Выход — двумерный ферромагнитный слой, нанесенный на слоистый антиферромагнетик.
Специалисты ФИАН создали естественную границу с ферромагнитным упорядочением внутри слоистого антиферромагнитного кристалла. Дефектов на ней почти нет. По словам руководителя центра по изучению высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов имени Гинзбурга академика Владимира Пудалова, результат важен для быстродействующих и стабильных наноустройств с магнитным упорядочением.
Практическая отдача может проявиться в системах хранения больших массивов данных и их скоростной обработки. Ферромагнетики сильно намагничиваются даже в слабом поле и сохраняют намагниченность после его снятия. У антиферромагнетиков магнитные моменты соседних атомов направлены противоположно. Из-за компенсации спинов общая намагниченность образца в поле почти нулевая.
Исследование опубликовано в Physical Review Materials. Работа способна ускорить прогресс в системах хранения и быстрой обработки больших объемов информации.