Обработка сапфира для полупроводниковой промышленности ускорена в 6,5 раза инженерами РТУ МИРЭА. О разработке рассказали сайт Ferra и издание «Мой Альметьевск». Об этом рассказывает Togliatti24.
Алмазный инструмент с жестким креплением зерен заменил свободный абразив. Благодаря этому ударное разрушение сменилось сдвиговым микрорезанием. Скорость съема материала возросла в 6,5 раза, а дефектный слой стал тоньше на 30–40%. Шероховатость поверхности упала ниже 0,07 мкм.
Тонкие подложки для светодиодов, лазеров и СВЧ-микроэлектроники критически зависят от этой технологии. Для черновой обработки лучшие результаты показал термостабилизированный инструмент с крупным зерном — скорость снятия почти в 6,5 раз выше аналогов. На финише оптимален инструмент с графитовыми добавками, улучшающими теплоотвод. Снижение поврежденного слоя особенно важно для пластин толщиной менее 200 мкм: микротрещины могут разрушить их на следующих этапах.
Технология протестирована на конференции «Перспективные материалы и технологии» и готова к внедрению. Старший научный сотрудник центра Виктор Кадомкин отметил: уменьшение нарушенного слоя повышает механическую прочность тонких приборных пластин, сокращает время финишной полировки и снижает риск брака. Сейчас исследователи оптимизируют составы инструментов для финишного шлифования.