Ученые Санкт-Петербурга впервые вырастили кристаллы оксида галлия с железом, которые обладают магнитными свойствами при комнатной температуре. Работа выполнена специалистами ЛЭТИ, ФТИ им. Иоффе РАН и СПбГУ, сообщили 28 августа в пресс-службе ЛЭТИ. Об этом рассказывает ТАСС.
По словам профессора Камиля Гареева, монокристаллы получены раствор-расплавным методом. В образцах обнаружены признаки магнитного упорядочения, что открывает путь к созданию энергоэффективной памяти.
Для спинтроники нужны полупроводники, одновременно управляющие электрическими и магнитными параметрами. Новый материал может лечь в основу устройств с высокой энергонезависимостью.
Владимир Николаев из ФТИ им. Иоффе отметил, что оксид галлия может заменить кремний в силовой электронике. Материал также позволит быстро переключать энергию и надежно записывать данные.