В Нижнем Новгороде исследователи Университета Лобачевского получили патент на метод глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния, востребованного в микроэлектронике. Кроме того, они создали подход к комплексному управлению свойствами таких наночастиц. Об этом пишет ТАСС.
Как рассказали в вузе, работу вели сотрудники научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии ННГУ. Технология дает возможность получать частицы заданного размера и формы. Они отличаются высокой однородностью, стабильностью и малым содержанием примесей. Именно эти параметры определяют пригодность порошка для выпуска микросхем.
По словам руководителя исследования Ксении Отвагиной, кандидата химических наук и научного сотрудника лаборатории, изобретение касается очистки аморфного диоксида кремния. Его применяют при химико-механической полировке полупроводниковых пластин и в процессах, где нужны высокочистые абразивные наноматериалы.
В ННГУ имени Н. И. Лобачевского разработали технологическую линию и регламент выпуска продукта. Полученную устойчивую суспензию направили индустриальному партнеру для апробации. Из-за ограничений поставок возникла острая потребность в отечественных аналогах, сопоставимых с зарубежными по характеристикам.
Отвагина подчеркнула: от размера, формы и однородности наночастиц напрямую зависит качество обработки пластин, а значит надежность и производительность будущих электронных устройств. Поэтому материалы с контролируемыми свойствами важны для развития российской микроэлектроники и снижения зависимости от иностранных поставщиков.
Ректор ННГУ Олег Трофимов отметил, что создание отечественной компонентной базы — одна из ключевых задач для страны. Запатентованная технология показывает, как университетская наука отвечает на запросы индустрии. Цель вуза — обеспечить полный цикл от фундаментальных исследований до серийного внедрения.