Создан материал для сложных фотонных нейросетей

Китайские ученые создали полностью оптический мемристор на основе тонкой пленки ниобата лития. Устройство работает как аналог нейрона, а его появление открывает путь к большим фотонным нейросетям, пишет Nature Photonics. Об этом сообщает портал ТАСС.

Профессор Шаньдунского университета Чэнь Фэн пояснил: физики пытаются повторить свойства нейронов с помощью мемристоров — резисторов с эффектом памяти. Прежние аналоги либо работали недостаточно эффективно, либо требовали сверхнизких температур.

Новый прибор управляется двумя лазерами. Раньше ниобат лития пытались применять для фотонных мемристоров, но у таких устройств отсутствовала память. Инженерам приходилось подключать внешние ячейки памяти.

Китайская группа решила задачу иначе. На пленку нанесли выступы и впадины, а затем обработали поверхность потоком ионов кислорода. Получилась структура, чье взаимодействие с видимым светом меняется под действием синего либо инфракрасного лазера.

Опыты показали: одна частица материала хранит до трех бит. На запись или стирание уходит около 20 микросекунд. Многократные циклы чтения и записи не ухудшали свойства мемристора и не меняли его поведение. Это позволяет строить сложные фотонные нейросети.