Новый этап в развитии памяти: GDDR7 получила президентскую награду
Фото: Videocardz
Компания Samsung анонсировала выпуск новейшего чипа памяти GDDR7 с объемом 3 ГБ, функционирующего на частоте 40 ГГц, что стало значимым достижением в области полупроводниковых технологий. Это инновационное решение было высоко оценено на Корейском технологическом фестивале в Сеуле, где компания была удостоена президентской награды за выдающиеся достижения в области электроники.
Для контекста, графические процессоры серии RTX 50 оснащены чипами GDDR7 с объемом памяти 2 ГБ и рабочей частотой в диапазоне 28–30 ГГц. Новая разработка Samsung, представленная осенью текущего года, представляет собой наиболее производительный чип GDDR7 на сегодняшний день. Тем не менее, точные сроки и области применения данного чипа пока остаются неопределенными, однако предполагается его интеграция в графические процессоры серии RTX 60, что может значительно повысить производительность графических систем.
Кроме того, ожидается, что чипы GDDR7 объемом 3 ГБ будут использованы в видеокартах RTX 50 Super, выход которых запланирован на 2026 год. Предполагается, что эти чипы будут работать на более низкой частоте по сравнению с текущим образцом, что позволит снизить энергопотребление и тепловыделение. В дополнение, компания Samsung предлагает чипы с рабочей частотой в диапазоне 32–36 ГГц, а компания Hynix активно разрабатывает аналогичные решения в этой области, что свидетельствует о высокой конкуренции и инновационном потенциале в сегменте полупроводниковой памяти.
Следует подчеркнуть, что компания Samsung уже получила 12 президентских наград, что является беспрецедентным достижением среди технологических компаний. В 2022 году компания была награждена за разработку 14-нанометровой памяти DDR5, а в 2017 году — за внедрение 64-слойной флеш-памяти V-NAND. Эти достижения подтверждают высокий уровень научных исследований и разработок, проводимых компанией, а также ее способность к инновациям и внедрению передовых технологий в массовое производство, пишет источник.
